Тиристор

Тасвирлау:

Шул ук структурасы һәм фаза контроле символы булган тиз күчергеч тиристоры, яхшырак статик характеристикалар, аеруча динамик характеристика, ректификация, кисү, инвертер һәм ешлык конверсия схемасының югары ешлыклы кулланылышы белән таләп ителә.Тиз тиристорның динамик параметрлары - тиз кабызу тизлеге һәм кабызылу тизлеге, кире кайтару корылмасы, һәм кыска сүндерү вакыты, дәүләт токының критик күтәрелү тизлеге һәм критик тизлеге. дәүләттән тыш көчәнешнең күтәрелүе (dv / dt).Рейтинг ешлыгы эчендә тиз тиристорның бәяләнгән токы ешлык артканда кимеми яки кимеми.

RUNAU Электроникасының тиз күчергеч тристор җитештерү стандарты һәм эшкәртү технологиясе АКШ-тан 1980-нче еллардан башлап, Кытайда тиристор җитештерү пионеры буларак, RUNAU техник коллективы 30 елдан артык заманча белем һәм күп җитештерү тәҗрибәсенә ия булды.Традицион җитештерү процессы нигезендә, RUNAU Electronics компаниясенең талант техниклары Европа продуктларының өстенлекле үзенчәлекләре белән тиристор җитештерүдә заманча технологияләр уйлап таптылар, сыйфаты һәм җитештерүчәнлеге яхшырды, электр электроникасы кушымталарында зур җиңүләр, һәм партнерлар өчен күбрәк кыйммәт булдырылды.

Кереш:

1. Чип

RUNAU Electronics җитештергән тиристор чипы эретелгән эретү технологиясе.Кремний һәм молибден ваферы югары вакуум һәм югары температура шартларында саф алюминий (99,999%) белән эретелгән.Синтеринг характеристикаларын куллану - тиристор сыйфатына тәэсир итүче төп фактор.RUNAU Электроникасының ноу-хау эритмәсе тоташу тирәнлеген, өслекнең яссылыгын, эретелгән куышлыкны, шулай ук ​​тулы диффузия осталыгын, боҗра түгәрәк үрнәген, махсус капка структурасын идарә итү белән беррәттән.Шулай ук ​​махсус эшкәртү җайланманың йөртүче гомерен киметү өчен кулланылды, шулай итеп эчке операторның рекомбинация тизлеге бик тизләнде, җайланманың кире торгызу корылмасы кимеде, һәм күчү тизлеге яхшырды.Мондый үлчәүләр тиз күчү характеристикаларын оптимальләштерү өчен, дәүләт характеристикаларын һәм агымдагы милекне арттыру өчен кулланылды.Тиристорның эшләве һәм үткәрү эше ышанычлы һәм эффектив.

2. Энкапсуляция

Молибден ваферы һәм тышкы пакетның яссылыгын һәм параллелизмын катгый контрольдә тотып, чип һәм молибден ваферы тышкы пакет белән тыгыз һәм тулысынча интеграцияләнәчәк.Мондый ток һәм югары кыска схема токының каршылыгын оптимальләштерәчәк.Электрон парга әйләнү технологиясен үлчәү кремний вафин өслегендә калын алюминий пленка ясау өчен кулланылды, һәм молибден өслегендә капланган рутений катламы җылылык аруына каршы торуны көчәйтәчәк, тиз күчергеч тиристорның эш вакыты сизелерлек артачак.

Техник спецификация

1. RUNAU Electronics җитештергән эретелгән типтагы чип белән тиз күчергеч тиристор, I диапазоны_ТАВ200A - 4000A һәм V._DRM/V_RRM1200Втан 4500Вка кадәр.
2. I_GT, V._GTһәм мин_Hсынау кыйммәтләре 25 at, башкача әйтелмәгән булса, бүтән параметрлар - Т астындагы тест кыйммәтләре_jm;
3. I²t = I.²F SM × tw / 2, tw = Синусоидаль ярым дулкын ток нигезенең киңлеге.50Гц, мин²t = 0,005I²FSM (А.²С);
4. 60Гц: Мин_FSM(8.3мс) = I._FSM(10мс) × 1.066, Т._j=T_j;Мин²t (8.3мс) = I.²т (10м) × 0.943, Т._j=T_jm

Параметр: