Тиз Тиристор (югары стандарт YC сериясе)

Тасвирлау

GE җитештерү стандарты һәм эшкәртү технологиясе RUNAU Electronics тарафыннан 1980-нче еллардан кертелә һәм кулланыла.Тулы җитештерү һәм сынау торышы АКШ базары таләбенә тулысынча туры килде.Кытайда тиристор җитештерү пионеры буларак, RUNAU Electronics АКШ, Европа илләренә һәм глобаль кулланучыларга дәүләт электроникасы җайланмалары сәнгатен тәкъдим итте.Бу клиентлар тарафыннан югары квалификацияле һәм бәяләнгән, партнерлар өчен зуррак җиңүләр һәм кыйммәтләр булдырылган.

Кереш:

1. Чип

RUNAU Electronics җитештергән тиристор чипы эретелгән эретү технологиясе.Кремний һәм молибден ваферы югары вакуум һәм югары температура шартларында саф алюминий (99,999%) белән эретелгән.Синтеринг характеристикаларын куллану - тиристор сыйфатына тәэсир итүче төп фактор.RUNAU Электроникасының ноу-хау эритмәсе тоташу тирәнлеген, өслекнең яссылыгын, эретелгән куышлыкны, шулай ук ​​тулы диффузия осталыгын, боҗра түгәрәк үрнәген, махсус капка структурасын идарә итү белән беррәттән.Шулай ук ​​махсус эшкәртү җайланманың йөртүче гомерен киметү өчен кулланылды, шулай итеп эчке операторның рекомбинация тизлеге бик тизләнде, җайланманың кире торгызу корылмасы кимеде, һәм күчү тизлеге яхшырды.Мондый үлчәүләр тиз күчү характеристикаларын оптимальләштерү өчен, дәүләт характеристикаларын һәм агымдагы милекне арттыру өчен кулланылды.Тиристорның эшләве һәм үткәрү эше ышанычлы һәм эффектив.

2. Энкапсуляция

Молибден ваферы һәм тышкы пакетның яссылыгын һәм параллелизмын катгый контрольдә тотып, чип һәм молибден ваферы тышкы пакет белән тыгыз һәм тулысынча интеграцияләнәчәк.Мондый ток һәм югары кыска схема токының каршылыгын оптимальләштерәчәк.Электрон парга әйләнү технологиясен үлчәү кремний вафин өслегендә калын алюминий пленка ясау өчен кулланылды, һәм молибден өслегендә капланган рутений катламы җылылык аруына каршы торуны көчәйтәчәк, тиз күчергеч тиристорның эш вакыты сизелерлек артачак.

Техник спецификация

1. АКШ стандартының тулы квалификацияле продуктлары белән тәэмин итә алырлык RUNAU Electronics җитештергән эретелгән типтагы чип белән тиз күчергеч тиристор.
2. I_GT, V._GTһәм мин_Hсынау кыйммәтләре 25 at, башкача әйтелмәгән булса, бүтән параметрлар - Т астындагы тест кыйммәтләре_jm;
3. I²t = I.²F SM × tw / 2, tw = Синусоидаль ярым дулкын ток нигезенең киңлеге.50Гц, мин²t = 0,005I²FSM (А.²С);
4. 60Гц: Мин_FSM(8.3мс) = I._FSM(10мс) × 1.066, Т._j=T_j;Мин²t (8.3мс) = I.²т (10м) × 0.943, Т._j=T_jm

Параметр: