Фаза белән идарә итү Тиристоры (эретү төре)

Тасвирлау:

Тиристор, шулай ук ​​Кремний Контроль Ректифиеры (SCR) буларак та билгеле, өч PN структурасыннан торган югары көчле ярымүткәргеч җайланма.Эшчәнлек ягыннан, тиристор бер юнәлешле үткәрүчәнлеккә ия түгел, ә кремний ректификатор элементына караганда кыйммәтлерәк идарә итүчәнлеккә ия, ул ике үткәрү һәм дәүләттән тыш, зур көчне кечкенә көч белән контрольдә тоту, йөзгә кадәр көчәйтү яки меңләгән тапкыр.Реакция бик тиз, микро секундларда кабызыла.Контактсыз операция, очкыннар, шау-шу юк, шул ук вакытта югары эффективлык һәм аз бәя.Шуңа күрә, аеруча югары энергия белән тәэмин итү системасында, тиристор ректификатор схемасында, статик әйләнеп узу, контактсыз чыгу һәм башка схемаларда киң кулланылган.

Тиристор җитештерү стандарты һәм RUNAU Электроника эшкәртү технологиясе АКШ-тан 1980-нче еллардан башлап, Кытайда тиристор җитештерү пионеры буларак, RUNAU техник коллективы 30 елдан артык заманча белем һәм күп җитештерү тәҗрибәсенә ия булды.Традицион җитештерү процессы нигезендә, RUNAU Electronics компаниясенең талант техниклары Европа продуктларының өстенлекле үзенчәлекләре белән тиристор җитештерүдә заманча технологияләр уйлап таптылар, сыйфаты һәм күрсәткечләре яхшырды, электр электроникасын куллануда зур җиңүләр. кырлар, һәм партнерлар өчен күбрәк кыйммәт булдырылды.

Кереш:

1. Чип

RUNAU Electronics җитештергән тиристор чипы эретелгән эретү технологиясе.Кремний һәм молибден ваферы югары вакуум һәм югары температура шартларында саф алюминий (99,999%) белән эретелгән.Синтеринг характеристикаларын куллану - тиристор сыйфатына тәэсир итүче төп фактор.RUNAU Электроникасының ноу-хау эритмәсе тоташу тирәнлеген, өслекнең яссылыгын, эретелгән куышлыкны, шулай ук ​​тулы диффузия осталыгын, үзәк капка, боҗра түгәрәк үрнәген кулланып, тиристорның ышанычлы һәм югары эффектив үткәрү операциясен куллану өчен кулланылды. югары сыйфатлы эшне тәэмин итү.

2. Энкапсуляция

Молибден ваферы һәм тышкы пакетның яссылыгын һәм параллелизмын катгый контрольдә тотып, чип һәм молибден ваферы тышкы пакет белән тыгыз һәм тулысынча интеграцияләнәчәк.Мондый ток һәм югары кыска схема токының каршылыгын оптимальләштерәчәк.Электрон парга әйләнү технологиясен үлчәү кремний вафин өслегендә калын алюминий пленка ясау өчен кулланылды, һәм молибден өслегендә капланган рутений катламы җылылык аруына каршы торуны көчәйтәчәк, тиристорның эш вакыты сизелерлек артачак.

Техник спецификация

1. Фаза контроль тиристорны RUNAU Электроника җитештергән эретелгән тип чип белән, I диапазоны_ТАВ300A дан 6000A һәм V._DRM/V_RRM800Втан 4400Вка кадәр.
2. I_GT, V._GTһәм мин_Hсынау кыйммәтләре 25 at, башкача әйтелмәгән булса, бүтән параметрлар - Т астындагы тест кыйммәтләре_jm;
3. I²t = I.²F SM × tw / 2, tw = Синусоидаль ярым дулкын ток нигезенең киңлеге.50Гц, мин²t = 0,005I²FSM (А.²С);
4. 60Гц: Мин_FSM(8.3мс) = I._FSM(10мс) × 1.066, Т._j=T_j;Мин²t (8.3мс) = I.²т (10м) × 0.943, Т._j=T_jm

Параметр: