Пресс-пакет IGBT
Пресс-пакет IGBT (IEGT)
| ТYР | VDRM V | VRRM V | IТ (АВ)@ 80 ℃ A | ITGQM @ CS A / µF | ITSM @ 10мс kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃ / W. | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | .22.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | .82.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | .82.8 | .61.66 | .50.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | .61.66 | .50.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | .61.66 | .50.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | 901.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | .53.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | .81.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | .22.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | .50.58 | 125 | 0.011 |
Тамга:D- г.йод өлеше, А.-диод өлеше булмаган
Гадәттәгечә, эретеп контакт IGBT модуллары сыгылмалы DC тапшыру системасының күчергеч җайланмаларында кулланылды.Модуль пакеты - бер яклы җылылык тарату.Deviceайланманың көче чикләнгән һәм бер-бер артлы тоташу дөрес түгел, тозлы һавада начар гомер, тибрәнү анти-шок яки җылылык аруы.
Яңа типтагы пресс-контакт югары көчле пресс-пакет IGBT җайланмасы эретү процессындагы вакансия проблемаларын, эретү материалының җылылык арыганлыгын һәм бер яклы җылылык таратуның түбән эффективлыгын чишә, шулай ук төрле компонентлар арасындагы җылылык каршылыгын бетерә, зурлыгын һәм авырлыгын киметегез.IGBT җайланмасының эш нәтиҗәлелеген һәм ышанычлылыгын сизелерлек яхшырта.Бу сыгылмалы DC тапшыру системасының югары көчле, югары көчәнешле, югары ышанычлы таләпләрен канәгатьләндерү өчен бик яраклы.
Сатучы контакт төрен IGBT пресс-пакеты белән алыштыру бик мөһим.
2010 елдан Runau Electronics яңа типтагы пресс-пакет IGBT җайланмасын эшләп чыгару һәм 2013-нче елда җитештерүне уңышлы башкару өчен эшләнде. Спектакль милли квалификация белән сертификацияләнде һәм иң югары казаныш тәмамланды.
Хәзер без 600A - 3000A диапазонындагы IGBT пресс-пакет сериясен җитештерә һәм тәэмин итә алабыз, VCES диапазоны 1700V - 6500V.Кытайда ясалган IGBT пресс-пакетның искиткеч перспективасы Кытайда сыгылмалы DC тапшыру системасында кулланылыр дип көтелә һәм ул югары тизлекле электр поездыннан соң Кытай электроника сәнәгатенең дөнья дәрәҗәсендәге ташына әйләнәчәк.
Типик режимның кыскача кереше:
1. Тәртип: IGBT CSG07E1700 пресс-пакеты
●Пакеттан һәм басудан соң электр характеристикалары
● Кирепараллельтоташтырылгантиз торгызу диоды- дип нәтиҗә ясады
● Параметр ：
Бәяләнгән бәя （25 ℃）
а.Коллекционер Emitter көчәнеше: VGES = 1700 （V）
б.Капка эмитеры көчәнеше: VCES = ± 20 （V）
в.Коллекционер агымы: IC = 800 （A） ICP = 1600 （A）
г.Коллектор көченең таралуы: PC = 4440 （W）
д.Эш чишелешенең температурасы: Tj = －20 ~ 125 ℃
f.Саклау температурасы: Tstg = －40 ~ 125 ℃
Искәрмә: бәяләнгән бәядән артса, җайланма бозылачак
ЭлектрCхарактеристика, TC ＝ 125 ℃ th Rth (җылылык каршылыгыбелән тоташуочрак）кертелмәгән
а.Капка агымы ток: IGES = ± 5 （μA）
б.Коллекционер Emitter агымдагы ICES блоклау = 250 （mA）
в.Коллекционер Emitter туендыру көчәнеше: VCE (утырды) = 6 (V)
г.Капка эмитеры бусагасы көчәнеше: VGE (th) = 10 (V)
д.Вакытны кабызыгыз: Тон = 2,5μс
f.Вакытны сүндерегез: Toff = 3μs
2. Тәртип: IGBT CSG10F2500 пресс-пакеты
●Пакеттан һәм басудан соң электр характеристикалары
● Кирепараллельтоташтырылгантиз торгызу диоды- дип нәтиҗә ясады
● Параметр ：
Бәяләнгән бәя （25 ℃）
а.Коллекционер Emitter көчәнеше: VGES = 2500 （V）
б.Капка эмитеры көчәнеше: VCES = ± 20 （V）
в.Коллекционер агымы: IC = 600 （A） ICP = 2000 （A）
г.Коллектор көченең таралуы: PC = 4800 （W）
д.Эш чишелешенең температурасы: Tj = －40 ~ 125 ℃
f.Саклау температурасы: Tstg = －40 ~ 125 ℃
Искәрмә: бәяләнгән бәядән артса, җайланма бозылачак
ЭлектрCхарактеристика, TC ＝ 125 ℃ th Rth (җылылык каршылыгыбелән тоташуочрак）кертелмәгән
а.Капка агымы ток: IGES = ± 15 （μA）
б.Коллекционер Emitter агымдагы ICES блоклау = 25 （mA）
в.Коллекционер Emitter туендыру көчәнеше: VCE (утырды) = 3.2 (V)
г.Капка эмитеры бусагасы көчәнеше: VGE (th) = 6.3 (V)
д.Вакытны кабызыгыз: Тон = 3.2μс
f.Вакытны сүндерегез: Тофф = 9,8μс
g.Диод Алга көчәнеш: VF = 3.2 V.
з.Диодны кире кайтару вакыты: Trr = 1,0 μс
3. Тәртип: IGBT CSG10F4500 пресс-пакеты
●Пакеттан һәм басудан соң электр характеристикалары
● Кирепараллельтоташтырылгантиз торгызу диоды- дип нәтиҗә ясады
● Параметр ：
Бәяләнгән бәя （25 ℃）
а.Коллекционер Emitter көчәнеше: VGES = 4500 （V）
б.Капка эмитеры көчәнеше: VCES = ± 20 （V）
в.Коллекционер агымы: IC = 600 （A） ICP = 2000 （A）
г.Коллектор көченең таралуы: PC = 7700 （W）
д.Эш чишелешенең температурасы: Tj = －40 ~ 125 ℃
f.Саклау температурасы: Tstg = －40 ~ 125 ℃
Искәрмә: бәяләнгән бәядән артса, җайланма бозылачак
ЭлектрCхарактеристика, TC ＝ 125 ℃ th Rth (җылылык каршылыгыбелән тоташуочрак）кертелмәгән
а.Капка агымы ток: IGES = ± 15 （μA）
б.Коллекционер Emitter агымдагы ICES блоклау = 50 （mA）
в.Коллекционер Emitter туендыру көчәнеше: VCE (утырды) = 3.9 (V)
г.Капка эмитеры бусагасы көчәнеше: VGE (th) = 5.2 (V)
д.Вакытны кабызыгыз: Тон = 5.5μс
f.Вакытны сүндерегез: Toff = 5.5μs
g.Диод Алга көчәнеш: VF = 3,8 V.
з.Диодны кире кайтару вакыты: Trr = 2.0 μs
Тамга:Пресс-пакет IGBT озак вакытлы югары механик ышанычлылык, зыянга каршы тору һәм пресс тоташу структурасы характеристикасында өстенлек, серия җайланмасында куллану өчен уңайлы, һәм традицион GTO тиристоры белән чагыштырганда, IGBT көчәнеш йөртүче ысулы. .Шуңа күрә, эшләү җиңел, куркынычсыз һәм киң диапазон.