Ректифиер диод Чип
Ректифиер Диод Чип
RUNAU Electronics җитештергән ректификатор диод чипы башта GE эшкәртү стандарты һәм АКШ кушымтасы стандартларына туры килгән һәм бөтендөнья клиентлары квалификацияләнгән GE эшкәртү стандарты белән кертелгән.Бу көчле җылылык аруына каршы тору үзенчәлекләрендә, озак хезмәт итү вакыты, югары көчәнеш, зур ток, әйләнә-тирә мохитнең яраклашуы һ.б. күрсәтелгән. Chәр чип TJMда сынала, очраклы тикшерү рөхсәт ителми.Чип параметрларының эзлеклелеген сайлау кушымта таләбе буенча бирелергә мөмкин.
Параметр:
| Диаметр mm | Калынлык mm | Көчәнеш V | Катод Диа. mm | Tjm ℃ |
| 17 | 1,5 ± 0,1 | 002600 | 12.5 | 150 |
| 23.3 | 1.95 ± 0,1 | 002600 | 18.5 | 150 |
| 23.3 | 2.15 ± 0,1 | 4200-5500 | 16.5 | 150 |
| 24 | 1,5 ± 0,1 | 002600 | 18.5 | 150 |
| 25.4 | 1.4-1.7 | ≤3500 | 19.5 | 150 |
| 29.72 | 1.95 ± 0,1 | 002600 | 25 | 150 |
| 29.72 | 1.9-2.3 | 2800-5500 | 23 | 150 |
| 32 | 1,9 ± 0,1 | ≤2200 | 27.5 | 150 |
| 32 | 2 ± 0,1 | 2400-2600 | 26.3 | 150 |
| 35 | 1.8-2.1 | ≤3500 | 29 | 150 |
| 35 | 2.2 ± 0,1 | 3600-5000 | 27.5 | 150 |
| 36 | 2.1 ± 0,1 | ≤2200 | 31 | 150 |
| 38.1 | 1,9 ± 0,1 | ≤2200 | 34 | 150 |
| 40 | 1.9-2.2 | ≤3500 | 33.5 | 150 |
| 40 | 2.2-2.5 | 3600-6500 | 31.5 | 150 |
| 45 | 2.3 ± 0,1 | 0003000 | 39.5 | 150 |
| 45 | 2,5 ± 0,1 | 3600-4500 | 37.5 | 150 |
| 50.8 | 2.4-2.7 | 0004000 | 43.5 | 150 |
| 50.8 | 2,8 ± 0,1 | 4200-5000 | 41.5 | 150 |
| 55 | 2.4-2.8 | 004500 | 47.7 | 150 |
| 55 | 2.8-3.1 | 5200-6500 | 44.5 | 150 |
| 63.5 | 2.6-3.0 | 004500 | 56.5 | 150 |
| 63.5 | 3.0-3.3 | 5200-6500 | 54.5 | 150 |
| 70 | 2.9-3.1 | 003200 | 63.5 | 150 |
| 70 | 3.2 ± 0,1 | 3400-4500 | 62 | 150 |
| 76 | 3.4-3.8 | 004500 | 68.1 | 150 |
| 89 | 3.9-4.3 | 004500 | 80 | 150 |
| 99 | 4.4-4.8 | 004500 | 89.7 | 150 |
Техник спецификация:
RUNAU Электроника ректификатор диод һәм эретеп ябыштыру диодының ярымүткәргеч чиплары белән тәэмин итә.
1. Түбән көчәнеш төшүе
2. Алтын металлизация үткәргеч һәм җылылык тарату милеген яхшырту өчен кулланылачак.
3. Ике катлы саклау меса
Киңәшләр:
1. Яхшырак җитештерүчәнлекне саклап калу өчен, чип азот яки вакуум шартларында сакланырга тиеш, молибден кисәкләренең оксидлашуы һәм дымлылыгы аркасында көчәнеш үзгәрүен булдырмас өчен.
2. Чип өслеген һәрвакыт чиста тотыгыз, зинһар, перчаткалар киегез һәм чипка кулсыз кагылмагыз
3. Куллану процессында игътибар белән эшләгез.Чипның резин кыры өслегенә һәм капка һәм катод полюсындагы алюминий катламына зыян китермәгез
4. Тестта яки анкапсуляциядә, зинһар, онытмагыз, параллелизм, яссылык һәм кысу җайланмасы күрсәтелгән стандартларга туры килергә тиеш.Начар параллелизм тигез булмаган басымга һәм көч белән чип зарарына китерәчәк.Артык кысу көче куелса, чип җиңел бозылачак.Әгәр дә кысылган көч бик кечкенә булса, начар контакт һәм җылылыкның таралуы кушымтага тәэсир итәчәк.
5. Чипның катод өслеге белән контакттагы басым блокы ябыштырылырга тиеш
Кысу көчен тәкъдим итегез
| Чипс размеры | Көч кысу тәкъдиме |
| N КН） ± 10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 яки Φ30.48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 яки Φ40 | 15 |
| Φ50.8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| .563.5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |